STGWT30HP65FB

STMicroelectronics
511-STGWT30HP65FB
STGWT30HP65FB

制造商：

说明：
射频(RF)双极晶体管 Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
完成您的设计

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
14 周 预计工厂生产时间。
最少： 600   倍数： 300
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥17.289 ¥10,373.40
¥16.046 ¥19,255.20
¥14.9725 ¥40,425.75

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS:  
STGWT30HP65FB
Si
Tube
商标: STMicroelectronics
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 300
子类别: Transistors
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
不可用
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。