|
|
Cypress异步SRAM 异步SRAM领域的市场领先企业Cypress提供丰富的快速异步与低功耗异步SRAM (MoBL™)装置。设计人员可在要求最高可靠性与性能标准的各种工业、医疗、商业、汽车及军事应用中使用异步SRAM。
公共特征
- 宽密度范围：256Kb至64Mb
- 适用于工业与汽车温度等级
- 符合行业标准与RoHS的封装
- 提供片上错误校正码 (ECC)
- 提供位交错存储技术以避免发生多位错误
应用
- 工业自动化
- 汽车
- 计算服务器
- 网络
- 数据处理
- 军事与航空航天
|
快速SRAM
Cypress丰富的快速异步SRAM产品组合提供从64Kb到最高32Mb的密度范围。快速SRAM可提供业界标准电压、总线宽度及封装选项。 这些产品采用Cypress高性能CMOS技术进行开发，可提供快速访问时间(8-12ns)，能够作为各种应用领域的理想高性能解决方案。Cypress快速异步SRAM适用于工业、汽车及辐射硬化温度等级。
产品特色
- 访问时间：10ns或12ns
- 多种总线宽度配置：x8、x16及x32
- 宽泛的工作电压范围：1.8-5.0V
- 错误校正码 (ECC) 可检测/纠正单个位错误
- 位交错存储技术可避免发生多位错误
- 错误指示 (ERR) 引脚可指示单个位错误
|
|
微功耗 (MoBL™) SRAM
Cypress的MoBL™异步SRAM产品包含业界最多样的异步低功耗SRAM产品组合，密度范围从64Kb至64Mb。MoBL SRAM提供业界标准电压、总线宽度及封装选项。 此装置提供领先业界的待机功率消耗（最大）规格。MoBL异步SRAM是各种应用中电池供电解决方案的理想选择。MoBL SRAM装置适用于工业、汽车及辐射硬化温度等级。
产品特色
- 领先业界的功耗表现
- 多种总线宽度配置：x8、x16及x32
- 宽广的工作电压范围：1.8-5V
- 错误校正码 (ECC) 可检测/纠正单个位错误
- 位交错存储技术可避免发生多位错误
- 错误指示 (ERR) 引脚可指示单个位错误
|
|
|
 |
发布日期: 2014-03-31
| 更新日期: 2024-04-11
