Infineon Technologies CY15B104Q 4Mbit串行SPI F-RAM

Cypress CY15B104Q 4Mbit串行SPI F-RAM是一款4Mbit非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM),逻辑组织方式为512K x 8。F-RAM是一种非易失性存储器,执行与RAM类似的读写操作,可提供151年的可靠数据保留时间。这款CY15B104Q解决了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。

特性

  • 4Mbit铁电随机存取存储器 (F-RAM),逻辑组织方式为512Kx8
  • 非常快速串行外设接口 (SPI)
  • 复杂的写入保护方案
  • 低功耗
  • 低工作电压:2VDD - 3.6VDD
  • 工业温度范围:-40℃至85℃
  • 封装:8引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装、8引脚薄型双扁平无引线 (TDFN) 封装
  • 符合有害物质限制 (RoHS) 指令

逻辑框图

Infineon Technologies CY15B104Q 4Mbit串行SPI F-RAM
发布日期: 2016-07-19 | 更新日期: 2024-11-18