Cypress Semiconductor 非易失性串行F-RAM

Cypress Semiconductor串行F-RAM（铁电RAM）存储器将ROM的非易失性数据存储能力与RAM的快速相结合。串行F-RAM具有多种接口和密度选项，包括SPI和I2C接口、行业标准封装以及4KB-4MB密度范围。Cypress串行F-RAM与其它非易失性存储技术相比具有三项独特的优势：写入速度快、耐久性极强和功耗低。串行F-RAM具有100万亿次写入周期，大大超过了EEPROM的100万次写入周期极限。因此，不需要采用损耗均衡技术，即可在产品的整个生命周期内提供支持。

这些器件采用铁电材料，能够耐受暴露在辐射和磁场环境的影响。该器件不会产生软错误率，因此是MRAM的出色替代品。这些F-RAM器件主要用于任务关键型应用， 包括智能电表、汽车电子、工业控制以及自动化设备、多功能打印机和便携式医疗器械。

特性

  • 写入速度快，没有写入延迟
  • 即时非易失
  • 100万亿次读写周期
  • 3mA低有功电流和6µA低待机电流
  • 不需要电池或电容器
  • 不需要采用损耗均衡技术
  • 可耐受固有伽玛辐射
  • 151年数据保留期
  • 可供应符合汽车类AEC-Q100标准的零件

应用

  • 任务关键型应用
  • 智能电表
  • 汽车电子设备
  • 工业控制和自动化设备
  • 多功能打印机和便携式医疗设备

视频

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