Diodes Incorporated AP22908压摆率受控负载开关
Diodes Incorporated AP22908压摆率受控负载开关是一款单P沟道MOSFET电源开关，设计用于高侧负载开关应用。该MOSFET在3.6V时具有28mΩ的低RDS (ON)（典型值）。这可以实现在低正向压降的情况下增加负载电流处理能力。该器件的导通转换率由内部控制，以避免浪涌电流。AP22908设计用于在1.08 V至3.6 V电压范围内工作。它非常适合用于1.2 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V和3.6 V系统。典型静态电源电流为0.05µA。
特性
- 宽输入电压范围：1.08 V至3.6 V
- 低导通电阻
- 69 mΩ（在 1.2 V 下的典型值）
- 41 mΩ（在 1.8 V 下的典型值）
- 33 mΩ（在 2.5 V 下的典型值）
- 28 mΩ（在 3.6 V 下的典型值）
- 直流处理能力高达1.5A
- 通过输出放电电阻实现快速放电
- 0.05 µA超低静态电流
- 高电平有效控制引脚，导通时最低VIH为0.9V
- ESD保护
- 2 kV人体模型
- 充电器件模型：1 kV
- 包装
- 采用背面层压的X1-WLB0909-4
- 0.87mm x 0.87mm，0.5mm焊球间距
- 标准绿色SOT26
- 无铅表面处理，符合RoHS指令
- 无卤、无锑的“绿色”器件
应用
- 移动设备和智能手机
- 便携式媒体设备
- 可穿戴设备
- 高级笔记本电脑、UMPC和MID
- 便携式医疗设备
- GPS和导航设备
- 便携式仪器仪表
框图
评估套件
Diodes Incorporated AP22908-EVM评估模块
用于评估AP22908 压摆率受控负载开关。
发布日期: 2020-06-16
| 更新日期: 2024-08-02