onsemi / Fairchild FDMC86262P P 沟道 PowerTrench MOSFET
仙童 FDMC86262P P 沟道 PowerTrench MOSFET 采用先进的 PowerTrench 技术制造而成。这一超高密度工艺经过量身定制，专为降低通态电阻并实现出色的开关性能而设计。典型应用包括有源钳位开关和负载开关。
特性
- Max rDS(on) 307mΩ at VGS= -10V, ID= -2A
- Max rDS(on) 356mΩ at VGS= -6V, ID= -1.8A
- Very low rDS(on) mid voltage P-Channel silicon technology optimized for low Qg
- Optimized for fast switching applications as well as load switch applications
- 100% UIL tested
- RoHS compliant
应用
- Active clamp switch
- Load switch
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仙童提供业界最齐全的 PowerTrench® MOSFET 产品组合。
发布日期: 2015-05-19
| 更新日期: 2024-11-07