onsemi 仙童 中压 P 沟道 MOSFET
仙童中压 P 沟道 MOSFET 是 100V 和 150V P 沟道 MOSFET，具有业界同类最佳的 RDS-ON 及 Qg 。这些器件中每一个均采用 仙童 先进的 PowerTrench® 技术制成。这一超高密度工艺经过量身定制，专为降低通态电阻并实现出色的开关性能而设计。典型应用包括电机驱动的高边开关、照明、直流-直流电中的有源钳位、以及负载开关等。
特性
- Low profile - 0.8mm maximum in the new MicroFET 2mm x 2mm
- Low RDS-ON mid voltage P-Channel silicon technology optimized for low Qg
- This product is optimised for fast switching applications as well as load switch applications
- 100% UIL tested
- RoHS compliant
应用
- Active clamp switch
- Load switch
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| 物料编号 | 数据表 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 | 下降时间 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDMC86139P |  |
100 V | 4.4 A | 67 mOhms | 4 ns |
| FDMA86265P | |
150 V | 1 A | 860 mOhms | 6.4 ns |
| FDMC2523P | |
150 V | 3 A | 1.5 Ohms | 13 ns |
| FDMC86261P | |
150 V | 2.7 A | 269 mOhms | 20 ns |
| FDMS86263P | |
150 V | 22 A | 42 mOhms | 14 ns |
| FDMS86163P | |
100 V | 50 A | 22 mOhms | 6.9 ns |
发布日期: 2014-11-18
| 更新日期: 2024-02-01