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Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V高侧栅极驱动器

Infineon Technologies  EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V高侧栅极驱动器设计用于为高压功率晶体管提供稳健高效的控制。这些英飞凌栅极驱动器采用高侧驱动器架构，支持各种应用，包括电机驱动器、太阳能逆变器和工业电源。1ED21x7x系列具有650V的最大额定电压，确保在严苛环境中可靠运行。主要特性包括集成自举二极管、快速开关能力，以及全面的保护机制，如欠压闭锁 (UVLO) 和过电流保护。这些特性使EiceDRIVER™ 1ED21x7x系列成为增强高压电源系统性能和可靠性的理想选择。

特性

  • 英飞凌薄膜SOI技术
  • 最大阻断电压：+650V
  • 输出拉/灌电流：±4A
  • 最大电源电压：25 V
  • 集成式超快速、低RDS(ON) 自举二极管
  • 负VS瞬态抗扰度：100V
  • 电源过流和欠压检测
  • 多功能RCIN/故障/使能 (RFE) 具有可编程故障清除时间
  • 传播延迟：小于100ns
  • PG-DSO-8 封装
  • 根据JEDEC47/20/22相关测试，符合工业应用要求
  • 符合RoHS标准

应用

  • 电机驱动器、通用逆变器
  • 叉车
  • 轻型电动汽车

规范

  • 672V最大值高侧浮动井电源电压
  • 0V至650V高侧浮动井电源失调电压范围
  • 22V最大值高侧浮动井电源电压
  • 22V最大值低侧电源电压
  • 0V至5V逻辑I/O电压 (HIN/RFE) 范围
  • 5µA最大值高侧浮动井失调供电漏电流
  • VBS 静态供电电流：350µA（最大值）/270µA（典型值）
  • VCC 静态供电电流：400µA（最大值）/270µA（典型值）
  • 0.46V典型值高电平输出电压降
  • 0.26V典型值低电平输出电压降
  • 4A典型值导通/关断峰值输出电流
  • 1µA至50µA最大值输入偏置电流
  • 自举二极管
    • VCC 与VB间正向电压范围：0.6V至1.1V
    • VCC 与VB间正向电流：71mA（典型值）
    • 50Ω最大值电阻，典型值35Ω
  • 环境温度范围：-40 °C至+125 V

典型应用

应用电路图 - Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V高侧栅极驱动器

功能框图

框图 - Infineon Technologies EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V高侧栅极驱动器

开发工具

Infineon Technologies EVAL1EDSICPFC5KWTOBO1 评估板

高效解决方案，设计用于功率因数校正 (PFC) 应用。

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发布日期: 2025-04-14 | 更新日期: 2025-04-21