Infineon Technologies 1EDN驱动器评估套件
Infineon 1EDN驱动器评估套件设计用于EiceDRIVER™单通道非隔离式栅极驱动器IC,具有真差分输入。1EDN驱动器评估套件采用集成在电路板中的完整驱动电路,可以对EiceDRIVER™栅极驱动器IC进行简单实用的逐步评估。1EDN驱动器评估套件支持评估EiceDRIVER™栅极驱动器IC对直流接地转换的稳健性,而这正是应用日益广泛的真差分输入概念的主要优势。1EDN驱动器评估套件能够区分驱动器的接地电压及其输入级参考电压(函数发生器的接地电压)。
特性
- 完整且易于使用的解决方案平台,集成了Infineon的EiceDRIVER™栅极驱动器IC和CoolMOS™或OptiMOS™功率MOSFET
- 可以评估栅极负载(Rg或Cgs)对EiceDRIVER™驱动行为的影响
- 可以评估驱动器接地电压和函数发生器接地电压之间EiceDRIVER™对直流偏移的稳健性
- 易于更换和测试采用TO-220封装的不同功率MOSFET
相关产品
具有真正差分输入 (TDI),可防止误触发功率MOSFET。
非常适合用于谐振大功率拓扑结构,采用最新的超级结MOSFET技术。
Ultra low gate and output charges with lowest on state resistance in small footprint packages.
发布日期: 2018-12-07
| 更新日期: 2022-09-22