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Infineon Technologies 1EDN71x6U 200 V高侧TDI栅极驱动器

英飞凌1EDN71x6U 200V高侧TDI栅极驱动器是单通道栅极驱动器IC，优化用于驱动英飞凌CoolGaN™ SCHOTTKY栅极HEMT以及其他GaN SG HEMT和Si MOSFET。这款栅极驱动器具有真正差分输入、四个驱动强度选项、有源米勒钳位和自举电压钳位等关键特性，可使用GaN SG HEMT实现高性能系统设计。

特性

  • 优化用于驱动GaN SG HEMT和Si MOSFET
  • 全差分逻辑输入电路，可避免低侧或高侧工作时误触发
  • 高共模输入电压范围 (CMR)：高达±200V，用于高侧运行
  • 共模电压转换 (100V/ns) 高抗扰度，可在快速开关期间实现稳健运行
  • 兼容3.3V或5V输入逻辑
  • 四种驱动强度型号，无需外部栅极电阻器即可优化开关速度——高达2A拉/灌电流能力
  • 有源自举钳位，避免死区时间内自举电容器过度充电
  • 有源米勒钳位，具有5A灌电流能力，可避免诱导导通
  • 根据JEDEC47/20/22相关测试，符合工业应用要求

应用

  • 半桥（2个1EDN71x6U）
    • 直流-直流转换器
    • BLDC/PMSM电机驱动
    • D类音频放大器
    • D类谐振无线电源
  • 单通道
    • 同步整流器
    • E类谐振无线供电

功能框图

框图 - Infineon Technologies 1EDN71x6U 200 V高侧TDI栅极驱动器

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开发工具

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发布日期: 2022-10-19 | 更新日期: 2025-03-24