Infineon Technologies 2ED210x低电流650V半桥栅极驱动器
Infineon 2ED210x低电流650V半桥栅极驱动器设有集成式自举二极管，采用DSO-8或DSO-14封装。2ED210x低电流0.7A驱动器基于绝缘体上硅 (SOI) 技术。SOI技术是一种高电压、电平移位技术，具有独特、可衡量以及业内最佳的优势。其中包括集成式自举二极管 (BSD) 和业界最佳的稳健性，可防止负瞬态电压尖峰。该技术还可以降低电平转换功率损耗，从而最大限度地降低器件开关功耗。先进的工艺支持采用具有技术增强优势的单片高压和低压电路结构。
特性
- 工作电压（VS节点）高达+650V
- 100V负VS瞬态抑制
- 集成超快、低电阻自举二极管，BOM成本低
- 用于自举操作的浮动通道
- 最大电源电压：25V
- 双通道独立欠压锁闭 (UVLO)
- 传播延迟：200ns
- HIN、LIN逻辑输入
- VS引脚上的逻辑运行电压高达–11V
- 输入端负电压公差为-5V
- 浮动通道可用于驱动采用高侧配置的N沟道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。
应用
- 电机控制和驱动器
- 轻型电动车 (LEV)
- 遥控直升机和无人机
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 电动工具
- 服务型机器人
- 家用电器
- LED照明
- EV充电
- 电池形成
视频
框图
典型应用
开发工具
Infineon Technologies EVAL-M1-2ED2106S栅极驱动器评估板
2ED2106S06F 650V高低侧栅极驱动器的演示和开发平台。
发布日期: 2019-12-03
| 更新日期: 2024-02-12