特性
- 经过优化的VCEsat 和VF,可实现低导通损耗
- 平滑的开关性能,实现低EMI水平
- 非常紧凑的参数分布
- 工作频率范围:1kHz至20kHz
- 最高工作结温:175°C
- 短路能力:5µs
- 同类最佳的电流与封装尺寸性能
- 按照 JEDEC 标准符合目标应用要求
- 无铅电镀;符合RoHS指令(对于PG-TO252:焊接温度260°C,MSL1)
应用
- 消费类电机驱动器
- 压缩机
- 泵
- 风扇
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| IKD15N60RATMA1 | ![]() |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A |
| IKD10N60RFATMA1 | ![]() |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS |
| IKD10N60RATMA1 | ![]() |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A |
| IKD15N60RC2ATMA1 | ![]() |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
| IKD06N60RFATMA1 | ![]() |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PRODUCTS |
| IKD04N60RFATMA1 | ![]() |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
| IKD04N60RC2ATMA1 | ![]() |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600 V, 4 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
| IKD04N60RATMA1 | ![]() |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
| IKD06N60RATMA1 | ![]() |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A |
| IKD06N60RC2ATMA1 | ![]() |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600 V, 6 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package |
发布日期: 2020-03-09
| 更新日期: 2024-10-08


