Infineon Technologies 6ED全桥驱动器IC
Infineon Technologies 6ED全桥驱动器IC可控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件。该器件采用SOI技术，因此实现了出色的瞬态电压抑制能力。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下均不会发生寄生闩锁。
六个独立驱动器通过CMOS输入在低侧控制。LSTTL兼容信号低至3.3V逻辑。该款 6ED 包括具有磁滞特性的欠压检测装置和过流检测装置。可通过在引脚ITRIP处选择电阻值和阈值电平对过流电平进行调节。两个错误条件（欠压和过流）均必然会导致所有六个开关的关闭。故障开漏输出引脚处会显示错误信号。
过流后的阻断时间可在引脚 RCIN 处通过 RC 网络进行调节。输入 RCIN 的内部电流源为 2.8µA。因此，电阻器 RRCIN 可选。上拉和下拉的典型输出电流分别可以设置为165mA和375mA。由于系统安全原因，已实现310ns的联锁时间。
可利用外部NTC电阻器并通过过热检测，对输入EN芯片产品的功能选择性地扩展。引脚VCC和VBx之间的单片集成式自举二极管结构可用于高侧电源。
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| 更新日期: 2024-04-02