Infineon Technologies 600 V CoolMOS™ SJ S7功率MOSFET

英飞凌科技600V CoolMOS™ SJ S7功率MOSFET为低频开关应用提供理想的性价比。CoolMOS S7系列具有低RDS(on) 值(HV SJ MOSFET),并提高了能效。英飞凌CoolMOS S7 MOSFET优化用于静态开关和大电流应用。该模块非常适合用于固态继电器和断路器设计,以及SMPS和逆变器拓扑中的线路整流。

特性

  • CoolMOS S7技术实现了22mΩ RDS(on),占位面积小
  • 针对低频开关应用,优化了性价比
  • 高脉冲电流能力
  • 开尔文源极引脚提高了大电流时的开关性能
  • 最大限度地降低导通损耗(消除/减少散热片)
  • 提升系统性能
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 使用寿命长,BOM或/和TCO更低
  • 快速开关时间
  • 可靠性更高,系统寿命更长
  • 抗冲击和抗振动性
  • 在整个寿命周期内没有触点电弧、弹跳或降级

应用

  • 固态继电器
  • 断路器
  • 计算
  • 电信
  • 不间断电源 (UPS)
  • 太阳能