Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7/S7T功率MOSFET
英飞凌600V CoolMOS™ SJ S7/S7T功率MOSFET为低频开关应用提供理想的性价比。作为高压超结MOSFET，CoolMOS S7和S7T系列具有低RDS(on) 值，同时提高了能效。英飞凌CoolMOS S7和S7T MOSFET优化用于静态开关和大电流应用。这些MOSFET采用TOLL或Q-DPAK封装，有顶部和底部型号可供选择。CoolMOS SJ S7 MOSFET专为开关损耗不重要的应用设计。CoolMOS SJ S7T器件集成了温度传感器，可提高结温检测精度。该器件设计用于固态解决方案，如固态断路器和固态继电器(SSR)应用。
特性
- RDS(on) 为22mΩ，占位面积小
- 针对低频开关应用，优化了性价比
- 高脉冲电流能力
- 开尔文源极引脚提高了大电流时的开关性能
- 最大限度地降低导通损耗（消除/减少散热片）
- 提升系统性能
- 紧凑、简单的设计
- 使用寿命长，BOM和/或TCO更低
- 快速开关时间
- 高可靠性和较长的系统寿命
- 抗冲击和抗振动性
- 在整个寿命周期内没有触点电弧、弹跳或降级
- 集成温度传感器（仅限S7T)
应用
- 固态继电器和断路器
- 计算
- 电信
- 不间断电源 (UPS)
- 太阳能
视频
其他资源
开发工具
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发布日期: 2020-01-17
| 更新日期: 2025-10-30