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Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V汽车级功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 7 80V汽车级功率MOSFET采用英飞凌的前沿功率半导体技术制造。这些MOSFET专为满足汽车应用对高性能、质量和可靠性的严格要求而设计。OptiMOS™ 7 80V MOSFET工作采用±20VGS栅-源电压，工作在-55°C至+175°C温度范围内。这些MOSFET采用顶部冷却SSO10T 5x7mm2 SMD封装。SSO10T封装有助于用户在散热和功率密度方面取得进展。80V功率MOSFET符合MSL-1评级，符合 RoHS 标准且100%经过雪崩测试。这些功率MOSFET非常适合一般汽车应用。

特性

  • 直接冷却路径至ECU外壳
  • 几乎没有热量流入PCB
  • 业界最大的暴露焊盘区域
  • 在封装下自由布线
  • 可在PCB背面安装零件
  • 出色的导通电阻 (RDS(on))
  • 快速切换时间（开/关）
  • 窄阈值电压 (VGS(th)) 范围
  • 超越AEC-Q101标准要求
  • 增强型电气测试
  • 封装已通过JEDEC认证
  • 使能出色的热管理
  • 改善20%至50%的热阻抗
  • 改善20%至50%的热阻力
  • 有助于减少ECU体积或PCB区域
  • 有助于降低PCB成本（区域、铜和通孔）
  • 减少PCB和系统设计工作量
  • 有助于实现最高的功率密度
  • 减少传导损耗
  • 卓越的开关性能
  • 非常适合并行放置
  • 汽车级质量与可靠性
  • 有可能成为第二供应商

应用

  • 汽车领域：
    • 48V电动助力转向系统 (EPS)
    • Led前照灯照明
    • DC-AC逆变器

尺寸

机械图纸 - Infineon Technologies OptiMOS™ 7 80V汽车级功率MOSFET

OptiMOS™ 7汽车功率MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40V车规功率MOSFET

具有大功率密度、低导通损耗和优化的开关特性。

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Infineon Technologies OptiMOS™ 7汽车用功率MOSFET

采用40V无引线、大功率创新型封装的功率MOSFET技术。

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物料编号 数据表 下降时间 Id-连续漏极电流 封装 / 箱体 Pd-功率耗散 Qg-栅极电荷 Rds On-漏源导通电阻 上升时间 Vds-漏源极击穿电压 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压
IAUZN08S7N046ATMA1 IAUZN08S7N046ATMA1 数据表 7 ns 99 A PG-TDSON-8 94 W 27.2 nC 4.6 mOhms 3.7 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7L018ATMA1 IAUCN08S7L018ATMA1 数据表 25 ns 210 A PG-TDSON-8 169 W 79.9 nC 1.8 mOhms 11 ns 80 V 20 V 2 V
IAUCN08S7L024ATMA1 IAUCN08S7L024ATMA1 数据表 20 ns 177 A PG-TDSON-8 148 W 65.2 nC 2.4 mOhms 9 ns 80 V 16 V 2 V
IAUCN10S7L040ATMA1 IAUCN10S7L040ATMA1 数据表 14 ns 130 A PG-TDSON-8 118 W 44.3 nC 3.3 mOhms 5.9 ns 100 V 16 V 2 V
IAUZN10S7N078ATMA1 IAUZN10S7N078ATMA1 数据表 5 ns 76 A PG-TDSON-8 94 W 22.2 nC 7.8 mOhms 3.6 ns 100 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7L013ATMA1 IAUCN08S7L013ATMA1 数据表 35 ns 293 A PG-TDSON-8 219 W 120 nC 1.26 mOhms 14 ns 80 V 20 V 2 V
IAUCN08S7L033ATMA1 IAUCN08S7L033ATMA1 数据表 14 ns 130 A PG-TDSON-8 118 W 44.3 nC 3.3 mOhms 5.9 ns 80 V 16 V 2 V
IAUCN08S7N016TATMA1 IAUCN08S7N016TATMA1 数据表 20 ns 262 A PG-LHDSO-10-3 205 W 83 nC 1.63 mOhms 18 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7N019TATMA1 IAUCN08S7N019TATMA1 数据表 17 ns 223 A PG-LHDSO-10-2 180 W 68 nC 1.94 mOhms 16 ns 80 V 20 V 3.2 V
IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN08S7N024TATMA1 数据表 16 ns 186 A PG-LHDSO-10-1 157 W 54 nC 2.44 mOhms 16 ns 80 V 20 V 3.2 V
发布日期: 2025-07-23 | 更新日期: 2025-08-19