英飞凌科技 SMPS 高功率拓扑适合高于 400W 的电源应用。使用 AC/DC 整流器前端级之后,还需要一个 DC/DC 功率转换器对总线电压进行降压,并提供电隔离和紧密调节的直流输出(如 12V、24V、48V)。尽管可以使用众多隔离式拓扑,但相移全桥转换器更适合更高功率的应用,因为其固有的一次侧开关的零电压转换等原因。使用主动设计(Active Design)文件可简化确定功率损耗、功率器件选择和无源元件所需的计算,从而加快客户的电源设计。 这些文件在 MathCad Express 中建立和执行,反映了设计说明(Design Notes)的内容。设计说明中描述了各拓扑的基本原理。如果机器上已经安装了 MathCad,只需打开 .mcdx 文件,在其中的绿色和橙色用户输入区分别输入系统要求和元件细节。 600W 全桥电流倍增器快速生成.mcdx
英飞凌科技 CoolMOS CP 功率 MOSFET 系列满足了系统微型化 和效率提升的要求,因为它 在特定封装中大幅降低了漏极-源极导通电阻(RDSon) ,并在输出电容中存储了超低的栅极总电荷和 非常低的电能。CoolMOS CP 系列的目标应用 是服务器和电信电源、笔记本电脑适配器、LCD TV、 ATX 和游戏电源、以及照明镇流器。
应用
IPW60R125CP 数据表 IPW60R075CP 数据表 IPW60R045CP 数据表 了解关于英飞凌 CoolMOS MOSFET 的更多信息
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ThinQ!™ 第 5 代采用英飞凌领先的 碳化硅肖特基势垒二极管方面的技术。由于 设计更紧凑,并采用了薄晶圆技术,新产品系列 在各种负载条件下都展示出更高的效率,因为 更好的散热功能和更低的品质因数(Qc x Vf)。 全新 thinQ!™ 第 5 代可用来完善我们的 650V CoolMOS™ 系列:这确保了满足该电压范围最严苛应用 的要求。
IDW12G65C5 数据表 IDW10G65C5 数据表 了解关于英飞凌 第 5 代碳化硅势垒二极管的更多信息
英飞凌的 ICE3PCS01G PFC 控制器是 14 引脚宽幅输入范围控制器 IC,用于有源功率因数校正转换器。它设计用于升压拓扑的转换器,需要的外部元件很少。建议采用可开关 IC 的外部辅助电源作为其电源。
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CoolMOS 是一项革命性高压功率 MOSFET 技术,按照超结(SJ) 原理进行设计,由英飞凌科技公司首创。650V CoolMOS CFD & CFD2 系列汲取了世界领先的 SJ MOSFET 供应商的经验,并实现了高端创新。由此产生的设备具有可快速开关 SJ MOSFET 的全部功能,并采用了速度极快、坚固耐用的二极管。极低的开关、通信和传导损耗,外加最高等级的鲁棒性,使其在应用中,尤其是谐振开关更可靠、更有效、更轻,且散热性能更强。
IPW65R310CFD 数据表 IPW65R190CFD 数据表 了解关于英飞凌 CoolMOS 功率晶体管的更多信息
英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 是同类领先的功率 MOSFET,实现最高功率密度和能效的解决方案。超低的栅极和输出电荷、加上最低的导通电阻和小尺寸封装,使 英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 成为满足服务器、数据通信、电信应用稳压器解决方案严苛要求的最佳选择。超快开关控制 FET 加上低 EMI 同步 FET 提供了易于设计导入(design in)的解决方案。 英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率晶体管具有优秀的栅极电荷,最适合直流-直流转换。
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