Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT
Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT针对开关>60kHz进行了优化,以提供最佳效率,弥补MOSFET和IGBT之间的差距。与目前领先解决方案相比,F5系列显著降低了开关损耗。目标拓扑为不间断电源 (UPS)、逆变焊机和开关电源 (SMPS) 等应用中常见的升压级、PFC(交流-直流)级和高压直流-直流拓扑。650V TRENCHSTOP™ 5 F5 IGBT与碳化硅二极管共同针对低电感设计,提供的效率比650V TRENCHSTOP™ 5 H5系列高出1%。F5产品需要的设计工作更多,但回报也更高。特性
- 采用高速F5技术的优势如下:
- 硬开关和谐振拓扑中的出色效率
- 650V击穿电压
- 低栅极电荷
- 最高结温:175°C
- 按照JEDEC标准符合目标应用要求
- 无铅
- 符合RoHS指令
应用
- 太阳能逆变器
- UPS
- 焊接变流器
- 中高频开关变频器
发布日期: 2017-08-24
| 更新日期: 2022-03-22
