IXYS 碳化硅 (SiC) 器件

IXYS碳化硅 (SiC) 器件非常适合用于需要提高效率、可靠性和热管理的应用。IXYS/Littelfuse致力于开发最可靠的碳化硅半导体器件。

特性

  • 2500V隔离电压(通过UL认证)
  • 低热阻
  • 高功率循环能力
  • 减少寄生电感和电容
  • 允许配置模块电路
  • 半桥配置
  • 串联和共阳极FRED
  • 采用串联肖特基二极管的MOSFET
  • 替代多个分立元件
发布日期: 2019-10-25 | 更新日期: 2025-04-23