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RoHS

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Tube AEC-Q100 碳化硅MOSFET

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结果: 8

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封装 = Tube 资格 = AEC-Q100

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封装 / 箱体

通道数量

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

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最大工作温度

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A SCT027W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥116.955 187库存量	制造商零件编号 SCT027W65G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT027W65G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	187库存量	¥116.955 ¥78.3316 ¥72.6251 ¥61.7884	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	60 A	29 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	51 nC	- 55 C	+ 200 C	313 W	Enhancement	AEC-Q100
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A SCT040W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥116.3787 683库存量 600预期 2027/2/19	制造商零件编号 SCT040W120G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT040W120G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	683库存量 600预期 2027/2/19	¥116.3787 ¥79.326 ¥69.4837	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q100
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥113.0678 600预期 2027/4/16	制造商零件编号 SCT055W65G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT055W65G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	600预期 2027/4/16	¥113.0678 ¥79.0774 ¥70.4781 ¥60.2968	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	32 nC	- 55 C	+ 200 C	210 W	Enhancement	AEC-Q100
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package SCTHC250N120G3AG STMicroelectronics 1: ¥635.173 9预期 2026/10/28 新产品	制造商零件编号 SCTHC250N120G3AG Mouser 零件编号 511-SCTHC250N120G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package	数据表	9预期 2026/10/28	¥635.173 ¥524.8285 ¥479.5042	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	STPAK-4	1 Channel	1.2 kV	239 A	8.5 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	304 nC	- 55 C	+ 200 C	994 W		AEC-Q100
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A SCT018W65G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT018W65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT018W65G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A	数据表			受限供货情况			Through Hole	HiP247-3	1 Channel	650 V	55 A	27 mOhms	- 10 V, 22 V	4.2 V	76 nC	- 55 C	+ 200 C	398 W	Enhancement	AEC-Q100
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package SCT019W120G3-4AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT019W120G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT019W120G3-4AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A in a HiP247-4 package	数据表			受限供货情况			Through Hole	HiP247-4	1 Channel	1.2 kV	90 A	26 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	120 nC	- 55 C	+ 200 C	486 W		AEC-Q100
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A SCT070W120G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT070W120G3AG Mouser 零件编号 511-SCT070W120G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表			受限供货情况																AEC-Q100
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A STMicroelectronics SCT040W65G3AG SCT040W65G3AG STMicroelectronics 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SCT040W65G3AG Mouser 零件编号 511-SCT040W65G3AG 新产品	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A	数据表			受限供货情况																AEC-Q100