特性
- 浪涌能力:>15A
- 阻断电压 (VDRM/VRRM) 能力:高达600V
- 高dv/dt抗噪性
- 改进的关断时间 (tq):<35µsec
- 用于直接连接微处理器的敏感栅极
- 单向
- 可用的封装类型
- SOT-89,表面贴装
- SOT-223,表面贴装
- TO-92(E封装),通孔
- 符合RoHS指令,不含卤素
规范
- 直流栅极触发
- 电流 (IGT):15µA至200µA
- 最大电压 (VGT):0.8V
- 峰值栅极
- 最大电流 (IGM):1.0A
- 最小反向电压 (VGRM):5V
- 导通电流
- RMS (IT(RMS)):1.5A(全正弦波)
- 平均电流 (IT(AV)):0.95A
- 非重复浪涌峰值 (ITSM)
- 12.5A (TO-92)
- 15.0A(SOT-89和SOT-223)
- GIG=10mA (di/dt) 临界上升速率: 50A/µs
- 平均栅极功耗 (PG(AV)):0.1W
- 最大保持电流 (IH):3mA至5mA
- 关断状态电压最低临界上升速率[(dv/dt)S]:25V/µs
- 时间
- 最长关断时间 (tq):35µs
- 最长导通时间 (tgt):3µs
- 最大峰值导通电压 (VTM):1.70V
- 结温范围
- 储存温度 (Tstg):-40°C至+150°C
- 工作温度 (TJ):-40°C至+125°C
SOT-89封装外形
SOT-223封装外形
TO-92封装外形
发布日期: 2021-06-14
| 更新日期: 2022-03-11

