Littelfuse TrenchT4™ N沟道功率MOSFET
Littelfuse TrenchT4™ N沟道功率MOSFET是一款增强模式、耐雪崩MOSFET，具有大电流处理能力和低至1mΩ漏源-源极导通电阻。该款高功率密度MOSFET采用标准TO-263（7引脚）封装。TrenchT4 MOSFET的最高工作温度为+175°C，适用于直流-直流转换器、离线UPS、一次侧开关和大电流开关应用。
特性
- N沟道增强模式
- 耐雪崩
- 标准TO-263（7引线）封装
- 最高工作温度范围：+175°C
- 大电流处理能力
- 低漏极-源极导通电阻
- Si技术
- 易于安装
- 功率密度大
- 符合RoHS指令
应用
- DC-DC转换器
- 离线UPS
- 大电流开关应用
- 一次侧开关
规范
- 漏极-源极击穿电压：36V
- 连续漏极电流：380A
- 漏极-源极导通电阻：1mΩ
- 栅极-源极电压：±15V
- 栅极-源极阈值电压：2V
- 栅极电荷：260nC
- 功耗：480W
- 下降时间：80ns
- 上升时间：78ns
- 典型断开延迟时间：125ns
- 典型接通延迟时间：36ns
- 最小正向跨导：105S
- 工作温度范围：-55°C至+175°C
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发布日期: 2023-03-31
| 更新日期: 2023-04-06