采用六种外壳尺寸，设计采用边缘微调模块和高纯度氧化铝基板。
具有三个系列，具有符合AEC-Q200标准、无铅设计或锡引线等选项。
电隔离热导体，具有高导热性AlN基板。
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高纯度陶瓷/氧化铝基板上设有防潮氮化钽电阻器薄膜。
具有1Ω 至3mΩ 电阻范围、200V最大工作电压以及0.1ppm/V电压系数。
采用双扁平无引线封装，相比传统SOIC封装多节省50%的电路板空间。
电源处理能力是上一代无磁电阻器的四倍。
