Microchip Technology 2-Mbit SST26VF020A NOR闪存
Microchip Technology 2-Mbit SST26VF020A NOR闪存是串行四路I/O™ (SQI™) 系列闪存器件，设有六线和4位I/O接口。该六线、4位I/O接口 支持低功耗 和高性能运行，采用低引脚数封装。这些NOR闪存提高了性能和可靠性，同时降低功耗。2Mb SST26VF020A闪存还支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的完整命令集兼容性。这些器件在2.3V至3.6V单电源电压范围内写入（编程或擦除）。Microchip Technology SST26VF020A NOR闪存提供软件写保护方案，可对内存阵列中的选定块进行群组保护。这些NOR闪存符合AEC-Q100标准和RoHS指令。
特性
- 单电压读写操作
- 电压范围：2.7 V至3.6 V或2.3 V至3.6 V
- 串行接口架构
- 半字节宽多路复用I/O，采用类似于SPI的串行命令结构：
- 模式0和模式3
- x1/x2/x4串行外设接口 (SPI) 协议
- 半字节宽多路复用I/O，采用类似于SPI的串行命令结构：
- 高速时钟频率
- 2.7 V至3.6 V 104 MHz最大值（工业）
- 2.3 V至3.6 V 80 MHz最大值（工业和扩展）
- 突发模式
- 连续线性突发
- 8/16/32/64字节线性突发，带环绕
- 出众的可靠性
- 耐久性：100,000次（最小值）
- 数据保留：>100年
- 低功耗
- 有源读取电流：15 mA（典型值，104 MHz时）
- 待机电流：15 µA（典型值）
- 擦除时间短
- 扇区/块擦除：
- 20ms（典型值）和25ms（最大值）
- 芯片擦除
- 40 ms（典型值）和50 ms（最大值）
- 扇区/块擦除：
- 页面编程
- 在x1或x4模式下，每页256字节
- 写入结束检测
- 软件轮询STATUS寄存器中的BUSY位
- 灵活的擦除功能
- 统一4Kb扇区
- 统一32Kb重叠块
- 统一64Kb重叠块
- 写入-暂停
- 暂停编程或擦除操作，以访问其他块/扇区
- 软件复位 (RST) 模式
- 软件写保护
- 通过STATUS寄存器中的块保护位进行写保护
- 安全ID
- 一次性可编程 (OTP) 2-Kb安全ID：
- 128位唯一和工厂预编程标识符
- 用户可编程区域
- 一次性可编程 (OTP) 2-Kb安全ID：
- 温度范围
- -40 °C至+85 °C（工业范围）
- -40 °C至+125 °C（扩展范围）
- 符合汽车类AEC-Q100标准
- 采用以下封装
- 8触点WDFN (6mm x 5mm)
- 8引脚SOIC (3.90mm)
- 符合RoHS指令
框图
机械图纸 (mm)
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发布日期: 2020-05-31
| 更新日期: 2024-07-25