Microchip Technology IGLOO Nano低功耗闪存FPGA

Microsemi IGLOO Nano低功耗闪存FPGA是单芯片解决方案，可重新编程，具有各种高级特性，采用小尺寸封装。这些FPGA采用闪存*冻结技术，通过在实现毫微功耗的同时保留SRAM和寄存器数据，可以进入和退出超低功耗模式。该技术还通过I/O和时钟管理功能简化了电源管理，并可快速恢复到工作模式。IGLOO Nano器件还采用非易失性闪存技术，可即刻实现安全、低功耗的单芯片解决方案。这些特性可让设计人员使用现有的ASIC或FPGA设计流程和工具创建高密度系统。IGLOO Nano FPGA具有1kb的片上、可重编程、非易失性FlashROM存储器，以及基于集成锁相环 (PLL) 的时钟调理电路。这些闪存FPGA非常适合用于消费类、工业、通信、计算、网络和航空电子应用。

特性

低功耗：
- Nano功耗 - 业界最低功耗
- 1.2V至1.5V核心电压支持低功耗
- 支持单电压系统操作
- 低功耗有源FPGA操作
- 闪存*冻结技术支持在实现超低功耗的同时
- 保持FPGA内容
- 轻松进入/退出超低功耗闪存*冻结模式
大容量：
- 10,000至250,000个系统门
- 高达36Kb的真正双端口SRAM
- 多达71个用户I/O
可重编程闪存技术：
- 130nm、7层金属、基于闪存的CMOS工艺
- 即时0级支持
- 单芯片解决方案
- 断电时保留编程设计
- 1.5V系统的频率为250MHz，1.2V系统的频率为为160MHz
高性能路由层次结构：
- 分段、分层路由和时钟结构
系统内编程 (ISP) 和安全性：
- 通过JTAG（符合IEEE 1532标准）并使用片上128位高级加密标准 (AES)解密的ISP
- FlashLock^®设计用于确保FPGA内容
- 1.2V编程

嵌入式内存：
- 1Kb的FlashROM用户非易失性存储器
- 具有可变长宽比4608位RAM的SRAM和FIFO 块（×1、×2、×4、×9和×18组织）
- 真正的双端口SRAM（×18组织除外）
高级I/O：
- 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V和3.3V混合电压操作
- 按JESD8-B要求支持宽范围电源电压，支持I/O在2.7V至3.6V存储区可选I/O电压范围内工作，
- 按JESD8-12要求支持宽范围电源电压，支持I/O在1.14至1.575V存储区可选I/O电压范围内工作，
- 每个芯片最多4个存储区
- 单端I/O标准：
  - LVTTL、LVCMOS 3.3V/2.5V/1.8V/1.5V/1.2V
- 输入、输出和使能路径上的I/O寄存器
- 可热插拔和冷备用I/O
- 可编程输出转换率和驱动强度
- 弱上拉/下拉
- IEEE 1149.1 (JTAG) 边界扫描测试
- 跨IGLOO系列的引脚兼容封装
时钟调理电路 (CCC) 和PLL：
- 多达六个CCC模块，其中一个带集成PLL
- 可配置相移、乘/除、延迟功能和外部反馈
- 宽输入频率范围：1.5MHz至250MHz