SAM D5和E5 MCU运行频率高达120MHz,具有高达1MB的带纠错码 (ECC) 的双面板闪存,轻松实现实时更新,不会中断正在运行的系统。此外,这些系列还可提供高达256KB的带ECC的SRAM,对关键任务应用(如医疗设备或服务器系统)至关重要。
这些新型微控制器具有多种接口,即使在最苛刻的连接需求下也具有设计灵活性。这两个系列都包含一个带有就地执行 (XIP) 功能的四路串行外设接口 (QSPI) 。这使得系统可以使用高性能串行闪存,与传统引脚并行闪存相比,它既小巧又便宜,可满足外部存储器的需求。SAM D5/E5器件还具有用于数据记录的安全数字主机控制器 (SDHC)、用于电容式触摸功能的外设触摸控制器 (PTC) 以及用于要求电源效率应用的同类最佳有源功率性能 (65 uA/MHz)。此外,SAM E5系列还包括两个CAN-FD端口和一个支持IEEE 1588的10/100Mbps以太网媒体访问控制器 (MAC),使其非常适合工业自动化、网络化家居和其他物联网 (IoT) 应用。
SAM D5和E5系列都包含全面的加密硬件和软件支持,使开发人员能够在设计初期纳入安全措施。基于硬件的安全功能包括支持椭圆曲线加密 (ECC) 和RSA方案以及高级加密标准 (AES) 密码和安全散列算法 (SHA) 的公钥加密控制器 (PUKCC)。
SAM D5和E5微控制器采用QFN、TQFP和WLCSP封装,具有多种引脚数,可实现设计灵活性。
特性
- 内核:120MHz Arm Cortex-M4
- 403 CoreMark® (120MHz)
- 4KB组合指令缓存和数据缓存
- 8区内存保护单元 (MPU)
- Thumb®-2指令集
- 带指令跟踪流的嵌入式跟踪模块 (ETM)
- Core Sight嵌入式跟踪缓冲器 (ETB)
- 跟踪端口接口单元 (TPIU)
- 浮点运算单元 (FPU)
- 存储器
- 具有如下特性的1MB/512KB/256KB系统内自编程闪存:
- 纠错码 (ECC)
- 双库和同时读写 (RWW) 支持
- EEPROM硬件仿真
- 256/192/128KB SRAM主存储器
- 128/96/64KB纠错码 (ECC) RAM选项
- 具有如下特性的1MB/512KB/256KB系统内自编程闪存:
- 高达4KB的紧耦合内存 (TCM)
- 高达8KB的额外SRAM
- 可以保留在备份模式
- 八个32位备份寄存器
- 工作条件
- 1.71V至3.6V、-40°C至+85°C、直流至120MHz
- 系统
- 上电复位 (POR) 和掉电检测 (BOD)
- 内部和外部时钟选项
- 外部中断控制器 (EIC)
- 16个外部中断
- 一个非屏蔽中断
- 两引脚串行线调试 (SWD) 编程、测试和调试接口
- 电源
- 空闲、待机、休眠、备份和睡眠模式
- SleepWalking外设
- 电池备份支持
- 嵌入式降压/LDO稳压器,支持即时选择
- 封装
- 48引脚QFN
- 64引脚QFN、TQFP、WLCSP
- 100引脚TQFP
- 128引脚TQFP
视频
框图
发布日期: 2017-08-07
| 更新日期: 2022-03-24

