Micron DDR SDRAM

Micron DDR SDRAM是一项革命性和开创性技术,支持应用在时钟信号的上升沿和下降沿传输数据。这样,与SDR SDRAM相比,带宽提高了一倍,性能也得到改善。为实现此功能,Micron使用2n预取架构,其内部数据总线大小是外部数据总线的两倍,因此每个时钟周期可进行两次数据捕获。

按密度

Micron DDR SDRAM
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物料编号 制造商名称 描述 数据表
MT46V32M16CY-5B IT:J Micron Technology 动态随机存取存储器 DDR 512Mbit 16 60/108 FBGA 1 IT MT46V32M16CY-5B IT:J 数据表
MT46V32M16P-5B IT:J Micron Technology 动态随机存取存储器 DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 IT MT46V32M16P-5B IT:J 数据表
MT46V32M16CY-5B IT:J TR Micron Technology 动态随机存取存储器 DDR 512M 32MX16 FBGA
MT46V32M16P-5B IT:J TR Micron Technology 动态随机存取存储器 DDR 512M 32MX16 TSOP
MT46V32M16P-5B:J Micron Technology 动态随机存取存储器 DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT MT46V32M16P-5B:J 数据表
MT46V64M8P-5B:J Micron Technology 动态随机存取存储器 DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT MT46V64M8P-5B:J 数据表
MT46V16M16CY-5B IT:M TR Micron Technology 动态随机存取存储器 DDR 256M 16MX16 FBGA
发布日期: 2018-07-23 | 更新日期: 2025-12-15