Micron XTR NVMe™ SSD
Micron XTR NVMe™ SSD设计用于提供极高的耐用性，并实现写入繁重工作负载所需的可靠缓存。这些器件专 为寻求高性价比替代品的数据中心而设计，用于在分层存储环境中记录和读/写缓存的高性价比存储类内存(SCM) SSD。Micron NAND和高度优化固件技术的组合使得这些SSD能够提供每天35次随机驱动写入 (RDWPD) 和每天60次顺序驱动写入 (SDWPD)。这些器件通过将每个驱动的可用容量提高20%同时将有源功耗减少多达44%来帮助降低运行成本，从而确保出色的性价比。XTR SSD采用垂直集成的经过行业验证的设计，提供媲美Intel Optane SSD的实际耐用性和性能，同时提高了电源可靠性。这些器件非常适合用于缓存层、缓冲、日志、记录、OLTP和其他写密集型工作负载。
特性
- 针对写入重载工作负载的可靠缓存：
- 高达60次SDWPD（100% 128KB顺序写入耐久性）
- 高达35 RDWPD（100% 4KB随机写入耐久性）
- 耐久性是基于TLC SSD的10倍
- 高达35%的Intel Optane SSD耐久性，成本仅为20%
- 经过验证的、垂直集成的存储架构和行业领先的安全性：
- 第三代Micron Gen4 NVMe™架构，可实现快速轻松的认证
- 符合TAA标准的SKU，在ASIC级通过FIPS 140-3 L2认证，有助于最大限度地提高安全性
- 与Intel Optane SSD类似的工作负载加速：
- 针对Microsoft® SQL Server® 分析工作负载的性能几乎相同：
- Micron XTR + Micron 6500 ION SSD = 74分钟标准查询运行时间
- Intel Optane SSD + Micron 6500 ION SSD = 73分钟标准查询运行时间
- Δ = 1分钟（约1.3%）
- 有功功耗降低44%
- 外加20%的可用容量
- 针对Microsoft® SQL Server® 分析工作负载的性能几乎相同：
规范
- Micron® 3D TLC NAND闪存
- PCI Express Gen4：
- U.3单端口 (x4) 向后兼容U.2
- NVM Express：
- 支持132个命名空间
- 加权循环，支持紧急仲裁
- 容量（未格式化）：
- U.3：960GB和1920GB
- 耐久性：（总写入字节 (TBW)）
- 60顺序DWPD时高达210000TB
- 35随机DWPD时高达125000TB
- 企业级扇区大小支持512字节和4096字节扇区大小（可配置）
- 安全：
- 数字签名固件
- FIPS 140-3 L.2证书
- 符合 TAA 的 SKU
- 自加密驱动器 (SED) SKU
- SPDM 1.1规格
- 隔离式安全环境
- Micron企业级安全套件
- 硬件信任根和信任链
- TCG器件标识符成分引擎 (DICE)
- 安全散列算法SHA-512（还支持SHA-384和SHA-256）
- RSA密钥尺寸和签名方案3K/4K
- 延迟：
- 读取：60μs（典型值）
- 写入：15µs（典型值）
- 支持意外插入/意外移除 (SISR) 和热插拔
- 自我监测、分析和报告技术 (SMART)
- 现场可升级固件，支持无需复位激活
- 性能：
- 顺序128KB读取：高达6800MB/s
- 顺序128KB写入：高达5600MB/s
- 随机4KB读取：高达900,000 IOPS
- 随机4KB写入：高达350,000 IOPS
- 可靠性：
- MTTF：200万小时（0°C至55°C），250万小时（0°C至50°C）
- 静态和动态损耗均衡
- 不可纠正误码率 (UBER)：每读取1017 位1扇区
- 符合OCP 1.0a标准的端到端数据保护
- 企业级功率损耗保护
- 工作温度范围（商业级）：0°C至70°C
- U.3外形尺寸，尺寸为100.45mm x 70.10mm x 15mm
- 电气规格：
- U3电源：12V ±10%
- U3辅助电源：3.3V ±5%
应用
- 非常适合用于缓存层、缓冲、记录、日志、OLTP和其他写密集型工作负载
- 数据中心
机械图
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发布日期: 2024-02-06
| 更新日期: 2024-03-05