Murata BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器
Murata BBSC/UBSC/ULSC超宽带SMT硅电容器面向光通信系统（ROSA/TOSA、SONET和所有光电元件）以及高速数据系统或产品。这些电容器设计用于直流阻断、耦合和旁路接地应用。这些硅电容器在宽频率范围（UBSC为16kHz至67GHz，BBSC为16kHz至40GHz，ULSC为16kHz至20GHz）内具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性。这些深沟槽硅电容器设计采用半导体MOS工艺，可在过电压 (0.1%/V) 和超温 (60ppm/K) 条件下提供高可靠性和电容稳定性。
这些元件的工作温度范围达-55°C至+150°C。高温固化过程（高于900°C）可生成高纯度氧化物，从而提供高可靠性和可重复性能。BBSC/UBSC/ULSC系列符合标准JEDEC组装规则，因此与高速自动拾取贴装生产操作完全兼容。这些电容器符合RoHS指令，根据外壳尺寸的不同，可采用ENIG端接或无铅凸点预制。
- 高达110GHz的超宽带性能
- 无谐振，可实现极低的群时延变化
- 超低插入损耗（得益于传输模式下的阻抗匹配）
- 在旁路接地模式下具有低ESL和低ESR
- 电容值在整个温度、电压和老化条件下具有很高的稳定性
- 高可靠性
- 与无铅回流焊兼容
- 电容范围：1nF至100nF
- 电容容差：±15%
- 温度范围
- 工作温度范围：-55°C至+150°C
- 储存温度范围：-70°C至+165°C
- 温度系数：+60ppm/K
- 击穿电压：11VDC或30VDC
- 老化：<0.001%/1000小时
- 高度：400µm或100µm
- 光电元件/高速数据
- 跨阻抗放大器 (TIA)
- 收发光学子组件 (ROSA/TOSA)
- 同步光纤网络 (SONET)
- 高速数字逻辑
- 宽带测试设备
- 宽带微波/毫米波
- 替代X7R和NP0电容器
- 薄型应用
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发布日期: 2019-10-24
| 更新日期: 2023-12-02