Alliance Memory AS25F串行NOR闪存
Alliance Memory AS25F串行NOR闪存结合了高达133MHz的快速读取性能和快速编程与擦除时间。该器件采用8引脚SOP宽体 (209 mil) 和8L WSON (6.0mm x 5.0mm) 封装，工作在1.6V至3.6V单电源电压下和-40°C至+85°C的工业温度范围内。该解决方案支持单、双和四通道SPI模式，具有可靠长期的性能：100,000次编程/擦除周期和10年数据保留时间。
Alliance Memory AS25F串行NOR闪存支持统一的4KB或32KB或64KB擦除，提供8/16/32/64字节环绕突发读取模式，具有程序/擦除暂停和恢复功能。高级安全特性包括块保护和4K位安全OTP，可保护内容免受恶意访问以及意外编程和擦除。
AS25F闪存产品具有增强的性能，设计用于满足计算机、消费电子、通信、物联网和移动市场的需求。这些器件非常适合用于PC、无线LAN和电缆调制解调器、打印机、机顶盒、LCD显示器、移动和可穿戴设备、数码相机、手持GPS单元、智能电表等。
特性
- SPI闪存
- 64Mbit (AS25F364MQ)
- 128Mbit (AS25F1128MQ)
- 标准、双通道或四通道SPI，以及QPI
- 标准SPI：CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold
- 双通道SPI：CL、/CS、IO0、IO1、/WP、/Hold
- 四通道SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
- QPI：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
- 性能卓越
- 104MHz时钟运行 (AS25F364MQ)
- 133MHz时钟运行 (AS25F1128MQ)
- 与X16并行闪存相当
- 灵活的架构
- 统一扇区擦除（4K字节）
- 块擦除（32K和64K字节）
- 擦除/编程暂停和恢复
- 通过9V ACC引脚的加速编程模式
- 耐久性
- 100K次编程/擦除周期
- 低功耗
- 1.65至1.95V单电源供电
- 5mA工作电流
- 深度省电：<3μA
- 高级安全特性
- 软件和硬件写保护，顶部、底部、扇区或块选择
- 锁定和OTP保护
- 可发现参数 (SFDP) 寄存器
- 封装特性
- 宽工作温度范围：-40°C至+85℃
- SOP-8和WSON-8封装选项
- 无铅、无卤、符合RoHS指令
应用
- 智能手机
- 消费电子设备
- 工业应用
- 摄像头
- 办公设备
引脚分配
封装外形 (SOP-8)
封装外形 (WSON-8)
发布日期: 2022-10-27
| 更新日期: 2024-03-14