Alliance Memory 低功耗DDR2 SDRAM

Alliance Memory低功耗DDR2 SDRAM是高速CMOS和动态存取存储器,内部配置为8内存库存储设备。DDR2 SDRAM具备4位预取DDR架构、可编程读写延迟、温度补偿自刷新 (TCSR) 和时钟停止功能。DDR2 SDRAM通过在命令/地址 (CA) 总线上采用双字节速率架构减少了系统内的输入引脚数量。该CA总线用于传输地址、命令和内存库信息。 DDR2 SDRAM 还可通过在DQ (双向/差分数据总线)引脚上采用双字节速率架构实现高速运行。

特性

  • 400MHz最大时钟频率范围
  • 4位预取DDR架构
  • 低压电源
  • 自动TCSR
  • 部分阵列自刷新 (PASR) 节能模式
  • 深度省电 (DPD) 模式
  • 驱动器强度 (DS) 控制
  • 八个内部内存库,可同时运行
  • 多路复用,双数据速率以及命令/地址输入
  • 按数据字节的双向/差分数据控制输入
  • 数据控制输入的上升沿和下降沿的DM掩码写入数据
  • 可编程读和写延迟 (RL/WL)
  • 4、8或16个可编程脉冲串长度
  • 支持自动和自刷新
  • 支持所有内存库自动刷新以及单个内存库自动刷新
  • 时钟停止功能
  • 工作温度范围:-40°C至85°C

DDR2 SDRAM框图

框图 - Alliance Memory 低功耗DDR2 SDRAM
发布日期: 2018-06-28 | 更新日期: 2022-11-07