特性
- 400MHz最大时钟频率范围
- 4位预取DDR架构
- 低压电源
- 自动TCSR
- 部分阵列自刷新 (PASR) 节能模式
- 深度省电 (DPD) 模式
- 驱动器强度 (DS) 控制
- 八个内部内存库,可同时运行
- 多路复用,双数据速率以及命令/地址输入
- 按数据字节的双向/差分数据控制输入
- 数据控制输入的上升沿和下降沿的DM掩码写入数据
- 可编程读和写延迟 (RL/WL)
- 4、8或16个可编程脉冲串长度
- 支持自动和自刷新
- 支持所有内存库自动刷新以及单个内存库自动刷新
- 时钟停止功能
- 工作温度范围:-40°C至85°C
DDR2 SDRAM框图
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| 物料编号 | 数据表 | 存储容量 |
|---|---|---|
| AS4C32M32MD2A-25BIN | ![]() |
1 Gbit |
| AS4C64M16MD2A-25BINTR | ![]() |
1 Gbit |
| AS4C128M32MD2A-25BIN | ![]() |
4 Gbit |
| AS4C64M16MD2A-25BIN | ![]() |
1 Gbit |
| AS4C64M32MD2A-25BIN | ![]() |
2 Gbit |
| AS4C128M32MD2A-18BIN | ![]() |
4 Gbit |
| AS4C128M32MD2A-18BINTR | ![]() |
4 Gbit |
| AS4C128M32MD2A-25BINTR | ![]() |
4 Gbit |
| AS4C32M32MD2A-25BINTR | ![]() |
1 Gbit |
| AS4C128M16MD2A-25BINTR | ![]() |
2 Gbit |
发布日期: 2018-06-28
| 更新日期: 2022-11-07


