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Alliance Memory AS4C32M16MS / AS4C16M32MS
512M低功耗移动SDRAMAlliance Memory AS4C32M16MS / AS4C16M32MS 512M低功耗移动SDRAM (MSDR) 为高速CMOS第二代双倍数据速率同步DRAM。AS4C32M16MS / AS4C16M32MS四存储区同步DRAM在内部分别配置为四个8Mbit x 16的存储区和四个4Mbit x 32的存储区。
AS4C32M16MS / AS4C16M32MS通过采用预取多位数据并将其随系统时钟同步传输的芯片架构，实现了高速数据传输，速率可高达166MHz。其所有控制、地址、数据输入和输出电路都与外部时钟的上升沿同步。
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特性
- 四个8Mbit x 16的存储区
- 四个4Mbit x 32的存储区
- 高达166MHz的高数据传输速率
- 完全同步动态RAM，所有信号都在时钟上升沿有效
- 单脉冲RAS接口
- 读/写控制的数据掩码
- BA0和BA1控制的四个存储区
- 可编程CAS延迟：2、3
- 可编程换行序列：顺序或交错
- 可编程脉冲串长度：对于顺序序列为1、2、4、8或整页，而对于交错序列为1、2、4或8
- 单次写入操作可以读取多个脉冲串
- 自动和受控的预充电命令
- 每个CLK生成随机列地址（1-N规则）
- 掉电模式和时钟挂起模式
- 自动刷新和自刷新模式
- 刷新时间间隔：8192 cycles/64ms
- 采用54-ball (32M x16) 和90-ball (16M x32) FBGA封装
- VDD=1.8V，VDDQ=1.8V
- LVTTL接口
- 驱动强度 (DS) 选项：全部、1/2、1/4和3/4
- 自动温度补偿自刷新（自动TCSR）
- 部分阵列自刷新 (PASR) 选项：全部、1/ 2、1/4、1/8和1/16
- 深度掉电 (DPD) 模式
- 自刷新期间通过激活局部阵列，可选择降低功耗
- 工作温度范围：消费级（-25°C到85°C），工业级（-40°C到+85°C）
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发布日期: 2017-03-31
| 更新日期: 2017-03-31
