特性
- 低失调电压漂移:±0.07μV/°C(典型值)
- 低失调电压:±5μV(典型值),±20μV(最大值)
- 低电压噪声:1μV p-p(0.1Hz至10Hz,典型值)
- 低电压噪声密度:5nV/√Hz(f=1kHz时,典型值)
- 高共模抑制:140dB(典型值)
- 低输入偏置电流:±10pA(最大值)
- 宽增益带宽乘积:10.4MHz(典型值)
- 高压摆率:19V/μs(典型值)
- 低THD:-134dB(f=1kHz时)
- 低静态电源电流:每个放大器1.45mA(典型值)
- 宽电源电压范围:6V至40V、±3V至±20V
- 集成EMI滤波器
- 兼容多路复用器的输入
- 轨到轨高阻抗;差分和共模
- 快速建立时间
- 轨到轨输出
- 无相位反转
- 高电容性负载驱动能力:1nF
- 宽标定温度范围:-40°C至+125°C
- 8引线标准小外形封装 (SOIC_N)
应用
- 电气测试与测量
- 数据采集系统
- 自动化测试设备
- 医疗仪器
- 多路复用输入信号链
- 精密电流测量
- 光电二极管放大器
视频
典型应用电路
发布日期: 2023-08-23
| 更新日期: 2025-02-20

