Analog Devices ADMV1550混频器采用砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 方法制造,无需外部元件或匹配电路。得益于优化的平衡-不平衡转换器结构,ADMV1550可提供出色的本地振荡器 (LO) 至射频 (RF) 和本地振荡器 (LO) 至中频 (IF) 抑制。该混频器的典型LO振幅为15dBm。ADMV1550符合RoHS指令,无需引线键合,因此可以使用表面贴装制造技术。
ADMV1550采用紧凑型4mm x 4mm、18端子焊盘栅格阵列 (LGA) 封装,工作温度范围为-40°C至+85°C。
特性
- 转换损耗:8dB(15GHz至50GHz时的典型值)
- 输入IP3:20dBm(15GHz至50GHz时的典型值)(下变频器)
- 输入IP2:40dBm(15GHz至50GHz时的典型值)(下变频器)
- 输入P1dB:11dBm(典型值)(上变频器)
- 本地振荡器 (LO) 至射频 (RF) 隔离:35dB(典型值)
- 本地振荡器 (LO) 至中频 (IF) 隔离:35dB(典型值)
- 射频至中频 (IF) 隔离:45dB(15GHz至50GHz时的典型值)
- 18端子,符合RoHS指令,4mm x 4mm LGA封装
应用
- 微波和甚小孔径终端 (VSAT) 无线电
- 测试设备
- 军事电子战 (EW)
- 电子对抗 (ECM)
- 指挥、控制、通信和情报
框图
接口原理图
发布日期: 2025-01-14
| 更新日期: 2025-02-26

