特性
- 采用硅工艺制造
- 采用非反射式50Ω设计
- CMOS兼容和低压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制
- 还可采用单个正电源电压工作
- 与HMC1118开关引脚兼容
应用
- 测试仪器仪表
- 微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT)
- 军用无线电、雷达和电子对抗 (ECM)
- 光纤和宽带电信
规范
- 低插入损耗:8GHz时为0.8dB
- 高隔离:45dB (8GHz)
- 高输入线性度:
- P1db: 39dBm
- IP3:60dBm(典型值)
- 高功率处理能力:
- 插入损耗路径:35dBm
- 27dBm热切换
- ESD额定值:2kV(2级)HBM
- 0.05dB射频建立时间:375ns
- 0.1dB射频建立时间:300ns
- 16引脚和3mm x 3mm引线框架芯片级封装 (LFCSP)
- 工作温度范围:-40°C至105°C
功能框图
发布日期: 2019-11-13
| 更新日期: 2024-03-05

