特性
- 反射式50Ω设计
- 低插入损耗:0.6dB(2.7GHz时的典型值)
- TCASE = 105°C时具有高功率处理能力
- 长期(使用寿命>10年)
- 峰值功率:43dBm
- CW功率:38dBm
- LTE平均功率 (8dB PAR):35dBm
- 长期(使用寿命>10年)
- 单次事件(
- LTE平均功率 (8dB PAR):41dBm
- 高线性度
- P0.1dB:42.5dBm(典型值)
- IP3:65dBm(典型值,2GHz至4GHz时)
- ESD额定值
- HBM:2kV,2级
- CDM:1.25kV
- 单正电源:5V
- 正控制,CMOS/TTL兼容
- 16引脚、3mm × 3mm LFCSP封装
应用
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 军事和高可靠性应用
- 测试设备
- 引脚二极管替代器件
视频
选型指南
发布日期: 2018-07-24
| 更新日期: 2025-03-10

