Analog Devices Inc. ADRF5354射频前端多芯片模块

Analog Devices Inc. ADRF5534射频前端多芯片模块设计用于时分双工(TDD) 应用，工作频率范围为3.1GHz至4.2GHz。这些多芯片模块配置有LNA和大功率硅SPDT开关。LNA在接收操作中具有1.3dB低噪声系数 (NF)，35.5dB高增益和−4dBm三阶输入截取点 (IIP3)。该开关具有0.8dB低插入损耗，可处理37dBm长期演进 (LTE) 平均功率，从而在发射操作中实现完整的使用寿命。ADRF5534射频前端多芯片模块非常适合用于无线基础设施、基于TDD的通信系统以及TDD大规模多输入和多输出 (MIMO) 和有源天线系统。

特性

集成射频前端：
LNA和大功率硅SPDT开关
片上偏置和匹配
单电源运行
增益：35.5dB（3.6GHz时，典型值）
增益平坦度（25°C、400MHz带宽时）：1.5dB
低噪声：1.3dB（3.6GHz时，典型值）
低插入损耗：0.8dB（3.6GHz时，典型值）
正逻辑控制
5mm ×3mm、24-引线LFCSP封装

T_CASE = 105°C时具有高功率处理能力
- 整个生命周期
  - LTE平均数功率 (8dB PAR)：37dBm
- 单一事件（<10秒运行）
  - LTE平均数功率 (8dB PAR)：39dBm
高输入IP3 : -4dBm
低电源电流：
- 120mA典型接收操作@ 5V
- 15mA典型发射操作@ 5V