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Analog Devices Inc. ADRF5545A射频前端多芯片模块

Analog Devices ADRF5545A双通道射频前端多芯片模块设计用于工作频率范围为2.4GHz至4.2GHz的时分双工 (TDD) 应用。ADRF5545A采用双通道配置，包含级联两级低噪声放大器 (LNA) 和大功率硅单刀双掷 (SPDT) 开关。

在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.45dB的低噪声系数 (NF) 和32dB的高增益（频率为3.6GHz）以及32dBm（典型值）的输出3阶交调截点 (OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在36mA的较低电流下提供16dB的增益。在关断模式下，LNA将关闭，器件耗流为12mA。

在发射过程中，当射频输入连接到端电极引脚（TERM-ChA或TERM-ChB）时，该开关提供0.65dB的低插入损耗， 并在整个生命周期内处理40dBm的长期演进 (LTE) 平均功率（9dB峰值/平均值比 (PAR)），而在单一事件（<10秒）LNA保护模式下为43dBm。

特性

  • 集成式双通道射频前端
    • 2级LNA和大功率SPDT开关
    • 片上偏置和匹配
    • 单电源供电
  • 增益
    • 高增益模式：3.6GHz时为32dB（典型值）
    • 低增益模式：3.6GHz时为16dB（典型值）
  • 低噪声系数
    • 高增益模式：3.6GHz时为1.45dB（典型值）
    • 低增益模式：3.6GHz时为1.45dB（典型值）
  • 高隔离度
    • RXOUT-CHA和RXOUT-CHB：47dB（典型值）
    • TERM-CHA和TERM-CHB：52dB（典型值）
  • 低插入损耗：0.65dB（3.6GHz时的典型值）
  • TCASE = 105°C时具有高功率处理能力
    • 整个生命周期
      • LTE平均功率 (9dB PAR)：40dBm
    • 单一事件（<10秒运行）
      • LTE平均功率 (9dB PAR)：43dBm
  • 高OIP3：32dBm（典型值）
  • 关断模式和低增益模式（针对LNA）
  • 低电源电流
    • 高增益模式：5V时为86mA（典型值）
    • 低增益模式：5V时为36mA（典型值）
    • 关断模式：5V时为12mA（典型值）
  • 正逻辑控制
  • 6mm × 6mm、40引脚LFCSP封装

应用

  • 无线基础设施
  • TDD大规模多输入和多输出以及有源天线系统
  • 基于TDD的通信系统

功能框图

框图 - Analog Devices Inc. ADRF5545A射频前端多芯片模块

技术文章

  • 5G Technology Devices for an O-RAN Wireless Solution
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发布日期: 2019-10-02 | 更新日期: 2024-03-11