特性
- 集成式双通道射频前端
- 2级LNA和大功率SPDT开关
- 片上偏置和匹配
- 单电源供电
- 增益
- 高增益模式:4.6GHz时为33dB(典型值)
- 低增益模式:4.6GHz时为18dB(典型值)
- 低噪声系数
- 高增益模式:4.6GHz时为1.6dB(典型值)
- 低增益模式:4.6GHz时为1.6dB(典型值)
- 高隔离度
- RxOut-ChA和RxOut-ChB:45dB(典型值)
- TERM-ChA和TERM-ChB:53dB(典型值)
- 低插入损耗:0.5dB(4.6GHz时的典型值)
- 0TCASE = 105°C时具有高功率处理能力
- 整个生命周期
- LTE平均功率 (9dB PAR):40dBm
- 单一事件(<10秒运行)
- LTE平均功率 (9dB PAR):43dBm
- 整个生命周期
- 高OIP3:31dBm(典型值)
- 关断模式和低增益模式(针对LNA)
- 低电源电流
- 高增益模式:5V时为86mA(典型值)
- 低增益模式:5V时为36mA(典型值)
- 关断模式:5V时为12mA(典型值)
- 正逻辑控制
- 6mm × 6mm、40引脚LFCSP (36mm2)
应用
- 无线基础设施
- TDD大规模多输入和多输出(大规模MIMO)以及有源天线系统
- 基于TDD的通信系统
功能框图
发布日期: 2019-10-09
| 更新日期: 2024-03-11

