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Analog Devices Inc. ADuM4146高压隔离式双极栅极驱动器

Analog Devices Inc. ADuM4146高压隔离式双极栅极驱动器优化用于驱动碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。ADuM4146采用iCoupler® 技术，可在输入信号和输出栅极驱动器之间实现隔离。该器件包括米勒钳位，以便栅极电压低于2V时实现稳健的SiC单轨电源关断。采用带有或不带有米勒钳位操作实现单极性或双极性副电源工作。provide robust SiC turn-off with a single-rail supply。 Operation with unipolar or bipolar secondary supplies is possible with or without the Miller clamp operation.

ADuM4146栅极驱动器包括芯片级变压器，其在芯片高压域与低压域之间提供控制信息隔离通信。 芯片状态信息可从专用输出回读。在器件一次侧执行二次侧故障后控制器件复位。

集成在ADuM4146上是一款去饱和检测电路，可提供高压短路SiC操作保护。去饱和保护包含降噪特性，比如因初始启动切换事件以屏蔽电压尖峰后，屏蔽时间为300ns。 可选内部500µA电流源可确保很少的器件数量，如需提高抗噪水平，内部消隐开关也支持增加外部电流源。

二次欠压闭锁 (UVLO) A级设置为14.5V（典型值），B级和C级设置为11.5V（典型值），并考虑到常见SiC 和绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 电平。

Analog Devices Inc. ADuM4146高压隔离式双极栅极驱动器采用16引脚小外形宽体 (SOIC_W) 封装，工作温度范围为-40°C至+125C。

特性

  • 短路拉电流：11A（0Ω栅极电阻）
  • 短路灌电流：9A（0Ω栅极电阻）
  • 峰值电流：4.61A（2Ω栅极电阻）
  • 输出功率器件电阻：<1Ω 
  • 输出电压范围：高达30V
  • VDD2上具有多个UVLO选项
    • A级：VDD2 正向阈值UVLO为14.5V（典型值）
    • B级和C级：VDD2 正向阈值UVLO为11.5V（典型值）
  • VDD1 输入电压范围：2.5V至6V
  • 具有栅极检测输入的米勒箝位输出
  • 去饱和保护
    • 去饱和故障软关断
  • 多个去饱和检测比较器电压
    • B级：9.2V（典型值）
    • A级和C级：3.5V（典型值）
  • 隔离故障和就绪功能
  • 低传播延长：75ns（典型值）
  • 工作温度范围：-40°C至+125°C
  • 爬电距离：8.3mm（最小值） 
  • CMTI：100kV/μs
  • 安全和法规批准
    • 5000Vrms，持续1分钟，符合UL 1577标准
    • CSA元件认可通知5A
    • DIN V VDE V 0884-11
    • VIORM =2150V峰值
  • SOIC-16宽体封装

应用

  • SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器
  • 光伏 (PV) 逆变器
  • 电机驱动器
  • 电源

资源

视频

框图

框图 - Analog Devices Inc. ADuM4146高压隔离式双极栅极驱动器

典型应用电路

应用电路图 - Analog Devices Inc. ADuM4146高压隔离式双极栅极驱动器

封装外形

机械图纸 - Analog Devices Inc. ADuM4146高压隔离式双极栅极驱动器
发布日期: 2022-06-17 | 更新日期: 2022-08-10