特性
- 非反射50Ω设计
- 0V/3.3V正压控制
- 8.0 GHz下的低插入损耗为0.68 dB
- 8.0 GHz下的高隔离能力达48 dB
- 高功率处理 :
- 35dBm通过路径
- 27dBm终止路径
- 高线性
- 37 dBm可达1 dB压缩 (P1dB)(典型值)
- 输入三阶交调截断 (IIP3) 为62 dBm(典型值)
- ESD额定值2 kV,人体放电模式 (HBM)
- 无低频杂散
功能框图
发布日期: 2016-11-28
| 更新日期: 2022-03-11

