HMC8192LG的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力,而无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能,并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。
作为一款无源混频器,HMC8192LG无需任何直流电源。相比有源混频器,HMC8192LG提供较低的噪声系数,从而确保针对高性能和精密应用提供出色的动态范围。
HMC8192LG采用砷化镓 (GaAs)、金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造,使用了Analog Devices, Inc.混频器单元和90°混合器件等组件。HMC8192LG采用紧凑型、4.00mm × 4.00mm、25引脚焊盘栅格阵列腔 (LGA_CAV) 封装,工作温度范围为-40°C至+85°C。
特性
- 无源宽带I/Q混频器
- RF和LO范围:20GHz至42GHz
- 宽IF带宽:直流至5GHz
- 单端RF、LO和IF端口
- 转换损耗:9dB(典型值)*
- 镜像抑制:25dBc(典型值)
- 噪声系数:12dB(典型值)
- 输入IP3(下变频器):24dBm(典型值)
- 输入P1dB(下变频器)压缩:17dBm(典型值)
- 输入IP2:55dBm(典型值)
*除非另有说明,否则所有额定频率均为20GHz至32GHz
- LO至RF隔离:42dB
- LO至IFx隔离:45dB
- RF至IF隔离:35dB
- 幅度平衡:±1dB(典型值)
- 相位平衡(下变频器):±8°(典型值)
- RF回波损耗:12dB(典型值)
- LO回波损耗:10dB(典型值)
- IFx回波损耗:20dB(典型值)
- 裸露焊盘、4.00mm × 4.00mm、25引脚LGA_CAV封装
应用
- 测试与测量仪器仪表
- 军事、雷达、航空航天和国防应用
- 微波点对点基站
框图和引脚指示
典型应用电路
发布日期: 2019-12-12
| 更新日期: 2024-02-29

