在Analog Devices LT4322中添加高压耗尽型N沟道晶体管MOSFET能够使器件在极高输出电压下工作,仅受两个外部MOSFET的额定电压限制。在交流电应用中,集成LDO提供所需的栅极驱动电压来完全打开外部MOSFET。快速、大电流栅极驱动器可最大限度地减少高输入频率下的瞬态反向电流。
特性
- 在整流器应用中用N沟道MOSFET取代整流二极管
- 最大限度地提高效率功率水平,消除热设计问题
- 低正向压降至25mV
- 宽工作电压范围:9V至500V
- DC至100kHz的宽大范围工作频率
- 稳压12V栅极驱动器,用于外部N沟道增强型MOSFET
- 8引脚MSOP和8引脚3mm x 3mm、侧面可湿DFN封装
应用
- 单相、3相和6相桥式整流器
- 汽车交流桥式整流器
- 离线有源桥式整流器
- 三相飞机电源
- 带反向阻断的高压直流二极管OR
典型应用
发布日期: 2023-05-03
| 更新日期: 2023-05-22

