LT8418设有分离栅极驱动器,可调整GaN FET的导通和关断转换率,以抑制振铃并优化EMI性能。所有驱动器输入和输出均具有默认低电平状态,可防止GaN FET误接通。LT8418、INT和INB具有独立输入,与TTL逻辑兼容。该驱动器具有10ns的快速传播延迟,在顶部和底部通道之间保持1.5ns的出色延迟匹配,因此适用于高频DC-DC转换器、电机驱动器和D类音频放大器。此外,LT8418采用紧凑型WLCSP封装,可最大限度地降低寄生电感,因此可广泛用于高性能和高功率密度应用。
特性
- 半桥栅极驱动器,用于GaN FET
- 顶部栅极驱动器上拉电阻:0.6Ω
- 底部栅极驱动器下拉电阻:0.2Ω
- 4A峰值拉电流、8A峰值灌电流能力
- 智能集成式自举开关
- 分离栅极驱动器,用于调节导通/关断强度
- 所有驱动器输入和输出的默认低电平状态
- 最大额定电压:15V(INT和INB输入时)
- 独立INT、INB输入,兼容TTL逻辑
- 快速传播延迟:10ns(典型值)
- 典型传播延迟匹配:1.5ns
- 3.85V至5.5V平衡驱动器电源电压(VBST ≈ VCC)
- 欠压和过压闭锁保护
- 小型12焊球WLCSP封装
- 符合 RoHS 要求
应用
- 高频DC-DC开关电源转换器
- 半桥、全桥和推挽式转换器
- 数据中心电源
- 电机驱动器和D类音频放大器
- 消费电子产品
- 工业
- 汽车
典型应用
方框图
发布日期: 2024-01-15
| 更新日期: 2024-07-03

