ADI LTC7890/1同步降压控制器支持内部智能自举开关,可防止升压引脚在死区时间对SW引脚高侧驱动器电源进行过充电,从而保护顶部GaN FET的栅极。此外,LTC7890/1还在内部优化两个开关边缘的栅极驱动器时序,以实现智能近零死区时间、显著提高效率并允许高频工作,即使在高输入电压下也是如此。用户可以通过外部电阻器调整死区时间,以实现裕度或定制应用。
LTC7891上的栅极驱动电压可精确调节4V至5.5V,以优化性能,实现不同GaN FET甚至逻辑电平MOSFET。
LTC7890采用40引脚 (6mm × 6mm) 可湿性侧翼封装,而LTC7891采用28引脚(4mm × 5mm) 侧面可湿QFN封装。
特性
- GaN驱动技术,针对GaN FET进行了全面优化
- 宽VIN范围:4V至100V
- 宽输出电压范围:0.8V≤VOUT 60V
- 无需拉手、钳位或自举二极管
- 内部智能自举开关可防止高侧驱动器电源过度充电
- 内部优化的智能近零死区时间或电阻可调死区时间
- 分离输出栅极驱动器,用于可调节的导通和关断驱动器强度
- 精确的可调驱动器电压和UVLO
- 低工作IQ:5μA(48VIN至5VOUT)
- 可编程频率(100kHz至3MHz)
- 可锁相频率(100kHz至3MHz)
- 扩频调频
- 封装
- 40引脚 (6mm × 6mm),侧面可湿QFN封装 (LTC7890)
- 28引脚 (4mm × 5mm) 侧面可湿QFN封装 (LTC7891)
应用
- 工业电源系统
- 军用航空电子设备和医疗系统
- 电信电源系统
典型应用电路

效率和功率损耗与负载电流

发布日期: 2022-06-02
| 更新日期: 2023-09-05