Analog Devices Inc. LTC7892两相升压控制器

Analog Devices LTC7892两相升压控制器可驱动所有N沟道同步氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）功率级，输出电压高达100V。高性能双通道升压直流-直流开关稳压器控制器简化了应用设计，与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）解决方案相比，无需保护二极管或额外外部元件。内部智能自举开关可在死区时间停止将增强型引脚过度充电至SW引脚和高侧驱动器，从而保护顶部GaN FET的栅极。LTC7892的死区时间可选择通过外部电阻器进行优化，以实现裕度调节或定制应用，从而实现更高效率并实现高频工作。adi LTC7892的栅极驱动电压可在4V至5.5V范围内精确调节，以优化性能，支持不同的GaN场效应晶体管甚至逻辑电平MOSFET。从升压转换器稳压器输出偏置时，LTC7892可在低至1V的输入电源下工作。