特性
- 减少外部元件数量,降低总体成本
- 无需光耦合器和二次侧误差放大器
- 节省高达20%空间
- 76V、低RDSON 集成nMOSFET
- 内部环路补偿 (MAX17693A)
- 内置软启动
- 降低功率耗散
- 提供高达1.4W输出功率
- 频率折返模式提高了轻负载效率
- 关断电流:2.5µA
- 支持关键的系统级设计要求
- 频率抖动支持低EMI展频工作
- 切换频率与外部时钟同步
- 在恶劣环境中可靠工作
- 输出二极管正向电压温度补偿
- 打嗝电流限制保护
- 可编程EN/UVLO阈值
- 输入过压 (OVI) 保护 (MAX17693A)
- 过热保护
- -40°C至+125°C的高工业环境工作温度范围和-40°C至+150°C结温范围
应用
- 隔离式电源
- PLC I/O模块
- IGBT栅极驱动电源
- 工业和电信应用
典型应用电路
发布日期: 2021-06-03
| 更新日期: 2023-04-12

