Bourns BSD碳化硅肖特基势垒二极管
Bourns BSD碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 设计用于要求更高峰值正向浪涌能力、低正向压降、低热阻和低功率损耗的高频和大电流应用。这些先进的宽带隙元件有助于提高直流-直流和交流-直流转换器、开关模式电源、光伏逆变器、电机驱动器和其他整流应用的可靠性、开关性能和效率。Bourns BSD SiC SBD的工作电压为650V至1200V，电流范围为5A至10A。这些高效设备还具有无反向恢复电流的特性，可降低EMI，从而使SiC SBD显著减少能量损耗。
特性
- 功耗低、效率高
- 反向漏电流低
- 高峰值正向浪涌电流能力（IFSM）
- EMI降低
- 无反向恢复电流
- 更低热耗散
- 低正向电压（VF）
- 最高工作结温范围（TJ）高达+175°C
- 环氧树脂灌封胶阻燃达到Ul 94V-0标准
- 符合RoHS指令，不含铅和卤素
应用
- 开关模式电源
- 功率因数校正（PFC）
- 光伏逆变器
- 直流-直流和交流-直流转换器
- 电信
- 电机驱动器
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发布日期: 2023-06-26
| 更新日期: 2026-07-01