Bourns Model BID绝缘栅双极晶体管
Bourns Model BID绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 结合了MOSFET栅极和双极晶体管技术，设计用于高压/大电流应用。该Model BID IGBT采用先进的沟槽栅极场截止技术，可更好地控制动态特性，从而降低集电极-发射极饱和电压、减少开关损耗。该IGBT的工作温度范围为-55°C至+150°C，采用TO-252、TO-247与TO-247N封装。这些高热效率元器件具有较低热阻，使其成为适合开关模式电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS) 和功率因数校正 (PFC) 应用的IGBT解决方案。
特性
- BIDD05N60T
- 600V、5A，低集电极-发射极饱和电压
- 沟槽栅极场截止技术
- 根据导通进行优化
- 稳健的TO-252封装
- 符合RoHS指令
- BIDW20N60T
- 600V、20A，低集电极-发射极饱和电压
- 沟槽栅极场截止技术
- 根据导通进行优化
- 低开关损耗
- TO-247封装
- 符合RoHS指令
- BIDW30N60T
- 600V、30A，低集电极-发射极饱和电压
- 沟槽栅极场截止技术
- 根据导通进行优化
- TO-247封装
- 符合RoHS指令
- BIDW50N65T
- 600V、50A，低集电极-发射极饱和电压
- 沟槽栅极场截止技术
- 根据导通进行优化
- TO-247封装
- 符合RoHS指令
- BIDNW30N60H3
- 600V、30A，低集电极-发射极饱和电压
- 沟槽栅极场截止技术
- 低开关损耗
- 快速开关
- TO-247N封装
- 符合RoHS指令
应用
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因素校正 (PFC)
- 逆变器（仅BIDW50N65T）
- 感应加热（仅BIDW30N60T和BIDNW30N60H3）
- 步进电机（仅BIDW20N60T）
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发布日期: 2022-08-02
| 更新日期: 2024-02-01