Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管

Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器(TVS)二极管 专为在DO-214AB(SMC)紧凑型芯片封装尺寸格式中设计用于浪涌和静电放电(ESD)保护。这些TVS二极管的工作峰值反向电压范围为12V至30V,击穿电压高达36.8V,峰值脉冲功率为3000W。典型快速响应时间为1ps以下(单向器件)以及5ps以下(双向器件),从0V到最小击穿电压。SMLJ-R TVS二极管采用可回收、防静电封装,符合ISO 14001低冲击能源标准。这些TVS二极管符合RoHS标准以及符合JEDEC标准。SMLJ-R TVS二极管非常适合便携式通信和计算设备以及视频设备。

特性

  • 表面贴装SMC封装
  • 关态电压:12 V至30 V
  • 峰值脉冲功率:3000 W
  • ΔVBR = 0.1% x VBR @ 25°C x ΔT(典型温度系数)
  • 稳定状态耗散功率:5W(TL = 75°C时)
  • 可回收ESD安全封装
  • 符合UL 94V-0级模制塑料外壳
  • 极性:
    • 阴极频带表示单向设备
    • 无阴极频带表示双向设备
  • ISO 14001,低影响能量
  • 符合 RoHS 标准

应用

  • 便携式通信
  • 计算和视频设备

电气特性(@ 25°C)

Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管

额定值和特性曲线

性能图表 - Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管

尺寸

机械图纸 - Bourns SMLJ-R瞬态电压抑制器二极管
发布日期: 2025-11-14 | 更新日期: 2025-11-23